纳米、电池负极**、高纯、纳米价格、微米、**细

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技术参数
货号	平均粒径（nm）	纯度（%）	比表面积（m2/g）	体积密度g/cm3	振实密度g/cm3	形貌	颜色
G01-N30	30	>99.9	60	0.09	2.3	球形	淡黄色
G01-U1	1000	>99.9	21	0.16	2.3	球形	棕黄色
备注：根据用户要求可提供不同粒度的产品。详细资料请见产品文档。
.纳米 微米  高纯 
产品性能
纳米具有高纯度、粒径分布范围小、高比表面积等特点，本产品熔点高达1410摄氏度，沸点为2355摄氏度，电离能8.151电子伏特，纳米硅具有无毒、无味、高表面活性的特点，是新一代的光电半导体材料，具有较宽的间隙能半导体，也是高功率的光源材料
主要用途：充电电池负极材料
用纳米做成纳米硅线用在充电电池负极材料里，或者在纳米表面包覆石墨用做充电电池负极材料，提高了充电电池3倍以上的电容量和充放电循环次数。由于纳米硅对与电池的高吸收率，将纳米硅用与电池可以大幅度提高电池的容量（理论可以达到4000mA／h），同时利用世界先进技术，将纳米表面包覆石墨，组成Si-C复合材料，可以有效的降低由于硅吸收离子时的膨胀，同时可以加大与电解液的亲和力，易与分散，提高循环性能。
纳米硅防水剂
性能特点：白色乳液，无毒，无刺激味，不燃烧，pH值12，密度1.15～1.2.
适用范围：用于砖瓦、水泥、石膏、石灰、涂料、、珍珠岩、保温板等基面上具有优异的防水抗渗效果。
效果：有防止建筑物风化、冻裂及外墙保洁、防污、防霉、防长青苔之功能；质量可靠，耐久性好，耐酸碱，耐候性优良，对钢筋无锈蚀，且使用安全，施工方便。
其它指标：砂浆抗渗性能≥S14，混凝土抗渗性能≥S18.技术性能符合JC474–1999［浆、混凝土防水剂］标准及JC／T902-2002标准。
纳米硅半导体发光材料
硅基发光材料和器件的基础研究-我们在硅衬底上设计了十来种硅／氧化硅纳米结构，实现了从近紫外到近红外的各主要波段（包括1.54和1.62μm）的光致发光和正向或反向偏压下的低阈值电压电致发光，并提出了受到广泛支持的光致发光和电致发光模型，这为较终实现硅基光电集成打下一定的基础。具有重要的科学意义和巨大的应用前景。（1）通过改变富硅量、退火条件等，控制氧化硅中硅纳米晶的尺寸及密度。文献认为出现硅纳米晶的临界温度是1000oC，而我们通过试验确定出现纳米晶的临界退火温度为900oC.右图是经900oC退火富硅量约为30％富硅氧化硅的高分辨电镜象。可以清楚硅纳米晶。图左上角是它的电子衍射图。（2）**观察到Au／（Ge／SiO2）**晶格／p-Si结构的电致发光。右图出四周期Ge／SiO2**晶格的高分辨电镜图。其中亮线为SiO2，厚度为2.0nm，Ge层厚为2.4nm.
（3）在硅衬底上用磁控溅射技术生长了纳米SiO2／Si／SiO2双势垒（NDB）单势阱三明治结构，**实现Au／NDB／p-Si结构的可见电致发光。发现电致发光的峰位、强度随纳米硅层厚度（W）的改变作同步振荡，如右图所示。进一步试验和分析证明，振荡周期等于1／2载流子的deBroglie波长。用我们组提出的电致发光模型作了解释。
（4）**在用磁控溅射生长的SiO2：Si：Er薄膜的基础上实现了波长为1.54μm（光通讯窗口）的Er电致发光。
（5）在热处理ITO／自然氧化硅／p-Si中**获得低阈值电压的360nm的紫外电致发光，是已报道的较短波长的硅基电致发光。